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本文摘要：FinFET技术早已沦为工艺尺寸之后增大的主要动力。在可意识到的未来，极低的工作电压与漏电流使得FinFET工艺沦为CMOS工艺的标准架构，ANSYS应用于工程高级总监ArvindShanmugavel说，但上述优点是有代价的电源噪声问题显得引人注目。一方面，10纳米或7纳米的FinFET器件在供电电压（Vsupply）为500mV时也能可信地工作；另一方面，门限电压（Vt）并没追随工艺节点行进而出比例上升。
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FinFET技术早已沦为工艺尺寸之后增大的主要动力。在可意识到的未来，极低的工作电压与漏电流使得FinFET工艺沦为CMOS工艺的标准架构，ANSYS应用于工程高级总监ArvindShanmugavel说，但上述优点是有代价的电源噪声问题显得引人注目。一方面，10纳米或7纳米的FinFET器件在供电电压（Vsupply）为500mV时也能可信地工作；另一方面，门限电压（Vt）并没追随工艺节点行进而出比例上升。
这样一来，电压容限（Vsupply-Vt）急遽增加，设计工程师必须特别注意电源噪声变化。平面工艺与FinFET（右）较为 FinFET工艺独特的特性带给了更加多的困难。FinFET器件温度更高，因此红噪声不会减少，Cadence电源签核（signoff）产品市场总监JerryZhao说道，FinFET器件的三维鳍型结构不易挤满热量，这些热量不会沿横向方向传导到鳍型结构上面的走线层。
温度增高减少了噪声。 Naviasky补足道：FinFET架构没充足的去耦电容，所以无法将噪声除去整洁。有些工艺虽然获取memcap电容，但目前还不存在一系列其他的问题。FinFET并没带给新型噪声，只不过这种技术使噪声问题更为好转，并由于去耦电容增加而虐待开发人员。
在1x纳米节点上，有所不同问题开始相互影响。自热效应很差劲，但碰上电迁入效应，二者变换产生的影响更坏（一加众多于二）。
Naviasky之后说明，我们的规则是避免自热减少的温度多达5度，否则等将近处置噪声问题，电迁入问题就不会让你招架不及。
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